連續式四探針片電阻及光學膜厚測量設備設計, 片電阻不受針尖距離影響多種型號以供選擇:
自動上下片(Cassette to cassette, C2C)
室溫至100°C 的測量(更高可選)
可添加並整合於多腔式的集束型架構設備(cluster tool)

亦可在連續式設備內加入四探針片電阻及光學膜厚測量, 適合薄膜太陽能(銅銦镓硒, CIGS)及平板顯示行業

基材尺寸:
450mm晶圓 (樣品台旋轉)
370 x 470mm 長方形基底 (XY樣品台)
連續式設備可以度身訂做, 沒有尺寸限製
片電阻測量適合金屬薄膜、銅銦镓硒、非晶矽(矽)、碲化鎘、鉬、透明導電薄膜(AlZnO2)、摻雜之後的矽(矽)、矽鍺及鍺
0.1 – 100,000 單位麵積奧姆值 (更高可選)

可整合於連續式(INLINE)的生產線內, 而收集的測量數據可自動送到SCADA係統
光學膜厚測量功能可選
測量光斑<1mm
波長: 380-1050nm
可測量膜厚: 15-50nm, 多可達250nm
短時間重複性: ~0.1nm
長時間重複性:: ~0.1nm